Nonvolatile memory device and reading method thereof

不揮発性メモリ装置及びその読み出し方法

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile memory device capable of improving reading performance and the reading method thereof.SOLUTION: A request for reading data stored in a first memory cell connected to a first word line is received (S100). Next, whether a memory cell connected to a second word line in response to the request in the S100 is programmed is determined (S110). In the case that the memory cell connected to the second word line is programmed, a reading operation of the first word line is executed on the basis of data read from a memory cell of the first word line (S120), and in the case that the memory cell connected to the second word line is not programmed, the reading operation of the first word line is executed regardless of the data read from the memory cell of the first word line (S130). This can reduce reading errors resulting from expanded threshold voltage variation.
【課題】 読み出し性能を向上可能な不揮発性メモリ装置及びその読み出し方法を提供する。 【解決手段】 第1ワードラインと接続する第1メモリセルに格納されたデータを読み出すための要請を受信する(S100)。次に、S100での要請に応じて第2ワードラインに接続するメモリセルがプログラムされたか否かを判別する(S110)。第2ワードラインに接続するメモリセルがプログラムされている場合、第1ワードラインのメモリセルから読み出されたデータに基づいて第1ワードラインの読み出し動作を実行する(S120)また、第2ワードラインに接続するメモリセルがプログラムされていない場合、第1ワードラインのメモリセルから読み出されたデータに関係なく第1ワードラインの読み出し動作を実行する(S130)。これにより、閾値電圧ばらつきが広くなることによって生じる読み出しエラーを減少させることができる。 【選択図】 図6A

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