Iii族窒化物半導体光素子、iii族窒化物半導体光素子を形成する方法、iii族窒化物半導体膜を成長する方法及びエピタキシャル基板

Group iii nitride semiconductor optical element, method of forming group iii nitride semiconductor optical element, method for growing group iii nitride semiconductor film, and epitaxial substrate

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a group III nitride semiconductor optical element capable of improving electrical characteristics of a p-type group III nitride semiconductor.SOLUTION: A gallium nitride-based semiconductor region 15 and a gallium nitride-based semiconductor region 19 are provided on a principal surface 13a of a substrate 13. The gallium nitride-based semiconductor region 19 includes a group III nitride semiconductor film 21 containing magnesium as a p-type dopant, and the group III nitride semiconductor film 21 contains aluminum as a group III constituent element. The oxygen concentration of the group III nitride semiconductor film 21 is in the range of 1.0×10cmor more and 1.5×10cmor less. Additionally, the hydrogen concentration of the group III nitride semiconductor film 21 is in the range of 1.0×10cmor more and 1.5×10cmor less.
【課題】p型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。 【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域15及び窒化ガリウム系半導体領域19は、基板13の主面13a上に設けられる。窒化ガリウム系半導体領域19は、p型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜21を有しており、III族窒化物半導体膜21は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。III族窒化物半導体膜21の酸素濃度は、1.0×10 17 cm −3 以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜21の酸素濃度は、1.5×10 18 cm −3 以下の範囲にある。また、III族窒化物半導体膜21の水素濃度は1.0×10 17 cm −3 以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜21の水素濃度は1.5×10 18 cm −3 以下の範囲にある。 【選択図】図1

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    JP-2014110389-AJune 12, 2014Sumitomo Electric Ind Ltd, 住友電気工業株式会社窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光素子を作製する方法
    WO-2014088030-A1June 12, 2014住友電気工業株式会社Élément électroluminescent semi-conducteur à base de nitrure et procédé permettant de fabriquer un élément électroluminescent semi-conducteur à base de nitrure